マッフル炉セラミックマッフル埋め込み発熱体、最高温度 1100 °C

炉内セラミックマッフル、刺激性のガスや蒸気に対する高度の耐性。

プロセス制御

機能と設備

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マッフル炉 L 9/11/SKM は、攻撃的な物質を熱処理する場合に最適です。炉には、4 面からの加熱が埋め込まれたセラミック製マッフルが実装されています。このマッフル炉は、温度均一性に大変優れており、発熱体を攻撃的な雰囲気から保護します。また、滑らかでほとんどホコリのないマッフル(ファイバー断熱製の炉扉)も優れた品質特性です。

標準タイプ

  • 最高温度1100  °C
  • 4面のマッフル加熱
  • 炉内セラミックマッフル、刺激性のガスや蒸気に対する高度の耐性
  • EC 規則 No 1272/2008(CLP)に基づいてヒトに対する発がん性がないと分類されている断熱材だけを使用
  • 外気温を低温に保つためさらに冷却するステンレス圧延板からなる二重壁構造の ケーシング
  • 置き台として利用可能な前開き扉(L)、または値段の追加なしの上下スライド扉(LT)の選択可能、後者では高熱部はユーザー操作の扉裏側に位置
  • 扉にある調節可能のスリット
  • 炉背面の排気孔
  • コントローラ B510(それぞれ 4 つのセグメントのある 5 つのプログラム)
  • 半導体リレーによる低騒音の加熱動作
  • 操作説明書の枠内における規定どおりの使用
  • ナーバサーム・コントローラー用NTLog Basic、プロセスデータをUSBスティックに記録

付加装置

付属装置

  • 排気ダクト、換気扇または触媒式排気ガス浄化装置付き
  • 停止温度を調節できる温度リミッターで炉とチャージを過熱から保護
  • 不燃性保護ガスまたは反応ガスによる炉洗浄のための保護ガス接続(煙突、ファンまたは触媒のある煙突との組み合わせはできません)、非気密型
  • 手動式、または自動式ガス化システム
  • 熱電対のダクトは背面または炉扉にあります
  • 監視、文書化、制御用の VCD ソフトウェアパッケージのプロセス制御 および文書化

技術仕様

型式 最高温度 炉内寸法 mm 容量 外形寸法2 mm 電気容量 電源 重量 加熱時間
  °C1 奥行き 高さ (リットル) 奥行き 高さ (kW) 接続* (kg) (単位: 分)4
L 9/11/SKM 1100 230 240 170 9 490 505 580 3,4 単相 50 75
LT 9/11/SKM 1100 230 240 170 9 490 505 580+3203 3,4 単相 50 75
1長時間加熱の推奨温度 1000℃*接続電圧については75ページを参照
2外寸は追加装備を含む型によって異なります。サイズに関してはお問い合わせください。
3開いたスライド扉を含む
4空の閉じた炉のおおよその加熱時間(単位: 分)、最大温度 -100 K(230 V 1/N/PE に接続した場合)

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